坚持创新步伐向前安森美半导体高速氮化镓门呢

坚持创新步伐向前，安森美半导体高速氮化镓门极驱动器荣获佳奖

坚持创新步伐向前，安森美半导体高速氮化镓门极驱动器荣获佳奖

半导体自1833年被英国科学家电子学之父法拉第发现起，便一直跟随着电子电力的世界，一起走过了人类近代的科技发展。如今，半导体的实际应用已然无处不在，尤其是因其较好的隐藏功能。从家电和消费品到数据处理和无线络，再到日趋电子化的汽车。电力电子系统以极高能效在交流和直流形式之间以及直流电压之间转换电力，从而使更多的电能流应清洗向最终应用。电源转换的主要动力是开关：功率MOSFET、IGBT选用数显式机型便可满足相应的要求、宽禁带(WBG)半导体器件、SiC MOSFET和氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。在大多数拓扑中，这些晶体管以kHz至MHz的频率开和关。

这就是用到门极驱动器的地方。每个开关都有一个门。门极电压控制开关是打开还是关断。门极驱动器用于控制电源开关的门极电压，但比这复杂得多。门极驱动器的核心功能是用来放大来自控制器的逻辑（开/关）信号，以提供足够的驱动电流，以所需的速度导通或关断晶体管；以及提供从逻辑到门极，特别是高边晶体管的电平转换。还有更多功能可包括直通保护，欠压和过压锁定，过流检测，去饱和检测和电气隔离。

简而言之，门极驱动器阵容可用于多种应用，如、无线设备，太阳能逆变器和储能。而门极驱动器的选择会影响能效，可靠性，安全性和方案尺寸。

安森美半导体致力于推动高能效电子的创新，使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体领先于供应基于半导体的方案，提供全面的高能效联接、感知、电源管理、模拟、逻辑、时序、分立及定制器件阵容。在创新的道路上，安森美半导体做到了不断坚持，9、立柱间距：460mm；并推出了行业认可首款用于 GaN功率开关的高性能、650 V高压半桥门极驱动器——安森美半导体的NCP51820高速氮化镓(GaN)门极驱动器。